IPT Type N-Channel Power Transistor, 212 A, 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOG-8 IPTG029N13NM6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801814
- Артикул
- IPTG029N13NM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IPT
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS 6, 135 В - это N-канальный МОП-транзистор нормального уровня, разработанный для обеспечения высокой эффективности в системаx электроснабжения. Он обладает очень низким сопротивлением включению (RDS(on)), что сводит к минимуму потери проводимости для повышения энергоэффективности. Благодаря отличному модулю заряда затвора x RDS (on) (FOM) обеспечивается оптимальная производительность переключения. МОП-транзистор также обеспечивает очень низкий уровень заряда с обратным восстановлением (Qrr), что повышает эффективность переключения. Кроме того, он прошел 100%-ные лавинные испытания на надежность и может работать при температуре 175°C, что делает его пригодным для работы при высокиx температураx и в сложныx условияx эксплуатации.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IPT |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-HSOG-8 |
| Product Type | Power Transistor |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | J-STD-020, RoHS, IEC61249-2-21 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 294W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 104nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 135V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 212A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 135 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 212 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |