Моя заявка (0)

IPTG Type N-Channel MOSFET, 408 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG011N08NM5ATMA1

IPTG Type N-Channel MOSFET, 408 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IPTG011N08NM5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018837758
Артикул
IPTG011N08NM5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Pin Count
8
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 1 325,17 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощный МОП-транзистор Infineon OptiMOS IPTG011N08NM5 поставляется в усовершенствованном корпусе с выводами типа "крыло чайки".

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS™ 5
Pin Count8
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePG HSOG-8(TOLG)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:HSOG-8
Part # Aliases:IPTG011N08NM5 SP005430759
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:178 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:375 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Id - Continuous Drain Current:408 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.3V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0011 Ω
Maximum Continuous Drain Current408 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1800
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А408
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В16В

Техническая документация