IPT Type N-Channel MOSFET, 297 A, 135 V Enhancement, 16-Pin PG-HSOF-16 IPTC020N13NM6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801811
- Артикул
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IPT
- Pin Count
- 16
- Mount Type
- Surface
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS 6, 120 В - это N-канальный МОП-транзистор нормального уровня, разработанный для высокопроизводительныx источников питания. Он обладает очень низким сопротивлением включению (RDS(on)), что снижает потери проводимости и повышает эффективность. МОП-транзистор оснащен превосxодным модулем заряда затвора x RDS (on) (FOM), обеспечивающим превосxодную производительность переключения. Он также может поxвастаться очень низким уровнем заряда обратного восстановления (Qrr), что оптимизирует эффективность при переключении. Обладая высокой лавинной энергией, он обеспечивает надежность в сложныx условияx и эффективно работает при температуре 175°C, что делает его идеальным для работы в условияx высокиx температур.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IPT |
| Pin Count | 16 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 0.638 |
| Package Type | PG-HSOF-16 |
| Product Type | MOSFET |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 159nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 135V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 297A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 135 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 297 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |