IPT65R195G7XTMA1, Trans MOSFET N-CH 650V 14A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002245381
- Артикул
- IPT65R195G7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 610 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 650V 14A 9-контактный (8+вкладок) HSOF T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 9 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single Hex Source |
| Package Width | 10.38 |
| Package Length | 9.9 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | HSOF |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | CoolMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Rise Time (ns) | 5 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 97000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 650 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 46 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 996@400V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 195@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 170@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |