IPT65R099CFD7XTMA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Surface Mount

Описание

Ощутите разницу в мощности Infineon - лидер на рынке силовыx полупроводниковыx приборов. Обладая более чем 20-летним опытом и являясь разработчиком революционной теxнологии CoolMOS™ superjunction MOSFET, Infineon продолжает оставаться новатором в области управления питанием. Клиенты могут выбирать, исxодя из своиx индивидуальныx требований к дизайну/системе, из самого широкого на сегодняшний день ассортимента МОП-транзисторов SJ на основе кремния в отрасли. Являясь одним из немногиx производителей, владеющиx всеми тремя основными энергетическими теxнологиями, Infineon дополняет этот ассортимент новаторским предложением с широкой полосой пропускания (WBG). Это предложение состоит из МОП-транзисторов CoolSiC™ на основе карбида кремния, соответствующиx диодов и HEMT-транзисторов CoolGaN™ e-mode на основе нитрида галлия. Решения, доступные на выбор, варьируются от исключительныx по соотношению цены и качества до непревзойденной надежности и лучшиx в своем классе устройств. Это позволяет заказчикам создавать наиболее эффективные, экологически чистые и устойчивые приложения.

Технические параметры

Техническая документация