Моя заявка (0)

IPT65R040CFD7XTMA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Surface Mount

IPT65R040CFD7XTMA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046402310
Артикул
IPT65R040CFD7XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.074
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 2 040 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.074
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFETs
Part # Aliases:IPT65R040CFD7 SP005537600
Product Category:MOSFETs
СтруктураN-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенностивысоковольтный
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А63
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.034 Ом

Техническая документация