IPT60R180CM8XTMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, HSOF, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059541661
- Артикул
- IPT60R180CM8XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 12.8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ, при этом не жертвуя простотой использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 12.8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.074 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | HSOF-8 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPT60R180CM8 SP005578053 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 119 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 88.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом |