Моя заявка (0)
IPT60R150G7XTMA1, MOSFET транзистор PG-HSOF-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070194727
Артикул
IPT60R150G7XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
C7 GOLD
Pin Count
8
Вес, г
1.2
Серия
CoolMOS G7
Цена по запросу
(от 318,38 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор HIGH POWER NEW

Технические параметры

SeriesC7 GOLD
Pin Count8
Вес, г1.2
СерияCoolMOS G7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeHSOF-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation106Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада6 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокHSOF-8
Maximum Drain Source Voltage650 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора23 nC
Maximum Drain Source Resistance0.15 Ω
Время нарастания5 ns
Drain Source On State Resistance0.129Ом
Maximum Continuous Drain Current23 A
Линейка ПродукцииCoolMOS G7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока17А
Рассеиваемая Мощность106Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Pd - рассеивание мощности106 W
Другие названия товара №IPT60R150G7 SP001579346
Id - непрерывный ток утечки17 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки2000
Стиль Корпуса ТранзистораHSOF
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток129 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения56 ns
Типичное время задержки при включении17 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.129Ом

Техническая документация