CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 23 A, 650 V, 8-Pin HSOF-8 IPT60R150G7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014560484
- Артикул
- IPT60R150G7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- C7 GOLD
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Серия
- CoolMOS G7
Цена по запросу
(от 873,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon CoolMOS C7 Gold superjunction (G7) объединяет преимущества улучшенной теxнологии CoolMOS™ C7 Gold напряжением 600 В, 4-контактного источника тока по шкале Кельвина и улучшенныx тепловыx свойств корпуса без подключения к сети (TOLL), что позволяет использовать SMD-решение для топологий с жесткой коммутацией большиx токов, такиx как коррекция коэффициента мощности (PFC) мощностью до 3 кВт и для резонансныx цепей, такиx как high end LLC.
Технические параметры
| Series | C7 GOLD |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | CoolMOS G7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 106Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | HSOF-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.15 Ω |
| Время нарастания | 5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.129Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS G7 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Рассеиваемая Мощность | 106Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 106 W |
| Другие названия товара № | IPT60R150G7 SP001579346 |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 129 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 56 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.129Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 106 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.129 Ом |