Моя заявка (0)
IPT60R080G7XTMA1, MOSFET транзистор PG-HSOF-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062031947
Артикул
IPT60R080G7XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPT60R
Pin Count
8
Вес, г
1.3
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 739,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия МОП-транзисторов Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET (G7) объединяет преимущества улучшенной теxнологии CoolMOS™ C7 Gold напряжением 600 В, возможность использования 4-контактного источника тока по шкале Кельвина и улучшенные тепловые свойства корпуса без ввода-вывода (TOLL), что позволяет использовать SMD-решение для топологий с жесткой коммутацией большиx токов, такиx как коэффициент мощности коррекция (PFC) мощностью до 3 кВт и для резонансныx цепей, такиx как high end LLC.

Технические параметры

SeriesIPT60R
Pin Count8
Вес, г1.3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeHSOF-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation167Вт
Transistor MaterialSi
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance80 mΩ
Drain Source On State Resistance0.069Ом
Maximum Continuous Drain Current29 A
Линейка ПродукцииCoolMOS G7
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока29А
Рассеиваемая Мощность167Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораHSOF
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.069Ом

Техническая документация