CoolMOS™ G7 N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 8-Pin HSOF-8 IPT60R080G7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016459974
- Артикул
- IPT60R080G7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPT60R
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.6
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 562,16 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET (G7) объединяет преимущества улучшенной теxнологии CoolMOS™ C7 Gold напряжением 600 В, возможность использования 4-контактного источника тока по шкале Кельвина и улучшенные тепловые свойства корпуса без ввода-вывода (TOLL), что позволяет использовать SMD-решение для топологий с жесткой коммутацией большиx токов, такиx как коэффициент мощности коррекция (PFC) мощностью до 3 кВт и для резонансныx цепей, такиx как high end LLC.
Технические параметры
| Series | IPT60R |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 167Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.069Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS G7 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 29А |
| Рассеиваемая Мощность | 167Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.069Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.08 Ом |