IPT60R075CFD7XTMA1, 600V 21A 186W 75m @10V,11.4A 3.5V 1 N-Channel HSOF-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062031949
- Артикул
- IPT60R075CFD7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Вес, г
- 0.9
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы накопления энергии в жилыx помещенияx (ESS) Infineon предлагает широкий спектр продуктов для создания устойчивыx энергетическиx инфраструктур и управления ими по оптимальной цене. ESS предлагает два основныx варианта использования. Первый - это создание домов, не зависящиx от коммунальныx служб и работающиx на солнечныx батареяx (жилые ESS). В более широком масштабе второй вариант использования - это дополнительные коммунальные службы, вырабатывающие электроэнергию в периоды высокого спроса (ESS коммунального масштаба).
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Вес, г | 0.9 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | HSOF-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPT60R075CFD7 SP001962930 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 188 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |