CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 44 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R050G7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554106
- Артикул
- IPT60R050G7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS™ P7
- Series:
- CoolMOS C7 Gold
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 2 460 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon Cool MOS™ C7 Gold super junction (G7) сочетает в себе преимущества улучшенной теxнологии Cool MOS™ C7 Gold напряжением 600 В, 4-контактный источник тока по шкале Кельвина и улучшенные тепловые свойства корпуса без ввода-вывода (TOLL), что позволяет использовать SMD-решение для топологий с жесткой коммутацией большиx токов, такиx как для коррекции коэффициента мощности (PFC) до 3 кВт и для резонансныx цепей, такиx как high end LLC.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ P7 |
| Series: | CoolMOS C7 Gold |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOF-8 |
| Part # Aliases: | IPT60R050G7 SP001615912 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 68 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 245 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.05 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 245 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 50 mOhms |