MOSFET IPT60R045CFD7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033002076
- Артикул
- IPT60R045CFD7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 2 060 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon представляет собой силовой транзистор CoolMOS CFD7 напряжением 600 В. CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | HSOF-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPT60R045CFD7 SP005346345 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 79 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 270 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.038 Ом |