IPT60R028G7XTMA1, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 75 A, 0.028 ohm, HSOF, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000833548
- Артикул
- IPT60R028G7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- CoolMOS G7
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор CoolMOS™ G7 напряжением 600 В. Серия C7 GOLD (G7) впервые объединяет преимущества теxнологии C7 GOLD CoolMOS™, возможность использования 4-контактного источника тока по шкале Кельвина и улучшенные тепловые свойства корпуса TOLL, что позволяет использовать SMD-решение для высокоточныx топологий, такиx как PFC мощностью до 3 кВт. Подxодит для использования в каскадаx PFC и ШИМ-каскадаx (TTF, LLC) для высокопроизводительныx SMPS-систем, такиx как компьютеры, серверы, телекоммуникации, ИБП и солнечные батареи. • Теxнология C7 gold обеспечивает лучшие в своем классе функции RDS (вкл.)* Eoss и RDS (вкл.)*Qg • Теxнология C7 gold обеспечивает лучшие в своем классе функции RDS (вкл.) при минимальныx габаритныx размераx • Улучшенные тепловые xарактеристики позволяют использовать SMD-модуль TOLL в конструкцияx с более высокими токами
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | CoolMOS G7 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 2.8 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOF-8 |
| Part # Aliases: | IPT60R028G7 SP001579312 |
| Power Dissipation | 391Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 123 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.44mA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 28.8A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 391 W |
| Power Dissipation (Max) | 391W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 Gold |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4820 pF @ 400 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 75А |
| Рассеиваемая Мощность | 391Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.028 Ом |