MOSFET IPT60R022S7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998756
- Артикул
- IPT60R022S7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 4 040 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon - это устройство питания CoolMOS SJ S7 напряжением 600 В. Он обеспечивает наилучшее соотношение цены и качества для приложений с низкочастотной коммутацией.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOF-8 |
| Part # Aliases: | IPT60R022S7 SP003330410 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 150 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 390 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |