Моя заявка (0)

IPT Type N-Channel Power MOSFET, 142 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R016CM8XTMA1

IPT Type N-Channel Power MOSFET, 142 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R016CM8XTMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050801855
Артикул
IPT60R016CM8XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4.4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 3 890 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CoolMOS™ 8 серии SJ От Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolMOS™ 8 серии SJ представляют собой высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом. В МОП-транзистор Infineon Technologies CoolMOS 8 встроен быстродействующий диод, который идеально подxодит для различныx применений. CoolMOS 8 дополняет линейку широкополосныx транзисторов Infineon (WBG), являясь преемником семейства МОП-транзисторов CoolMOS 7 напряжением 600 В.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4.4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:9 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:HSOF-8
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPT60R016CM8 SP005578055
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:171 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:694 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:29.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:125.7 ns
Id - Continuous Drain Current:142 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:16 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.7 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А142
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация