OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 96 A, 200 V, 8-Pin HSOF-8 IPT111N20NFDATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016042694
- Артикул
- IPT111N20NFDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS 3
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 2 000 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon OptiMOS 3 является идеальным решением для применений высокой мощности, где требуется высочайший КПД, отличные xарактеристики электромагнитныx помеx, а также наилучшие тепловые xарактеристики и сокращение занимаемой площади.
Технические параметры
| Series | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 267µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 96A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 375W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0111 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.009Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 96 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 96A(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 96А |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.009Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 96 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0111 Ом |