IPT Type N-Channel MOSFET, 155 A HSOF IPT059N15N3ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031013335
- Артикул
- IPT059N15N3ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- PG-HSOF-8
Цена по запросу
(от 1 205 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Infineon OptiMOS обеспечивает превосxодный заряд затвора. Он идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-HSOF-8 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 375W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 92nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.2nF@75V |
| Continuous Drain Current (Id) | 155A |
| Maximum Continuous Drain Current | 155 A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 155 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |