Моя заявка (0)
IPT044N15N5ATMA1, MOSFETs IFX FET 100-150V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018698151
Артикул
IPT044N15N5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Pin Count
8
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 723,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Pin Count8
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypeHSOF-8
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerSFN
Power Dissipation300Вт
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 221µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 50A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)300W(Tc)
Supplier Device PackagePG-HSOF-8
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs84 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage150 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Drain Source On State Resistance0.0038Ом
Maximum Continuous Drain Current174 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5 Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C174A(Tc)
Непрерывный Ток Стока174А
Рассеиваемая Мощность300Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораHSOF
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175 C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0038Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация