Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 190 A, 150 V, 8-Pin HSOF-8 IPT039N15N5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014777621
Артикул
IPT039N15N5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
8
Fall Time:
5.4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 1 574,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощный моп-транзистор Infineon Optimos 5 - это N-канальный моп-транзистор с очень низким сопротивлением включению и превосxодной термостойкостью.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count8
Fall Time:5.4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:4.5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeHSOF-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:HSOF-8
Part # Aliases:IPT039N15N5 SP005597138
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:78 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:319 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:18.7 ns
Maximum Drain Source Voltage150 V
Typical Turn-Off Delay Time:23.5 ns
Id - Continuous Drain Current:190 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current190 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А190
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация