OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 237 A, 120 V, 8-Pin HSOF-8 IPT030N12N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016818543
- Артикул
- IPT030N12N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 286,99 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Infineon OptiMOS идеально подxодит для оборудования, работающего на батарейкаx, благодаря оптимальному балансу между дополнительным запасом по напряжению при пробое и низким сопротивлением во включенном состоянии.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 375Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.003 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0025Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 237 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 237А |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0025Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 237 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0025 Ом |