IPT029N08N5ATMA1, IPT Type N-Channel MOSFET, 169 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998755
- Артикул
- IPT029N08N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 13 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 1 110 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon - это N-канальный МОП-транзистор напряжением 80 В, который идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронизированного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 13 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | HSOF-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPT029N08N5 SP001581494 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 87 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 169 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 75 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.8V@160uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.9mΩ@100A, 10V |