IPT0 Type N-Channel MOSFET, 243 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT023N10NM5LF2ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050802005
- Артикул
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 976,35 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 100 В, 27 А (Ta), 243 А (Tc), 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-HSOF-8-1
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 193µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 100A, 15V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 300W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 144 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A(Ta), 243A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 243 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |