N-Channel MOSFET, 260 A, 100 V D2PAK IPT020N10N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014774116
- Артикул
- IPT020N10N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- D2PAK(TO-263)
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 1 258,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленный силовой МОП-транзистор Infineon IPT020N10N5 с разъемом TO-Leadless от Infineon является идеальным выбором для работы на высокиx частотаx переключения.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 273Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0016Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 260 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 260А |
| Рассеиваемая Мощность | 273Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0016Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 260 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 273 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0016 Ом |