IPT020N10N3ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003016477
- Артикул
- IPT020N10N3ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 10.1mm
- Series
- OptiMOS 3
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1.436
Цена по запросу
(от 782 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 10.1mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1.436 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0017 Ом |