Моя заявка (0)
IPT020N10N3, MOSFETs IFX FET 80 - 100V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060405025
Артикул
IPT020N10N3
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
Power MOSFET
Brand:
Infineon Technologies
Mounting
Surface Mount
Polarity
N
Цена по запросу
(от 785,88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 300A I(D), 100 В, 0,002 ОМ, 1-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЙ, МЕТАЛЛ-ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Технические параметры

TypePower MOSFET
Brand:Infineon Technologies
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count8+Tab
Fall Time:18 ns
Rise Time:58 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Package TypeHSOF
Rad HardenedNo
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:HSOF-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SP001100160 IPT020N10N3ATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation375(W)
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:156 nC
Number of Elements1
Number of Channels:1 Channel
Drain-Source On-Volt100(V)
Operating Temp Range-55C to 175C
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation:375 W
Continuous Drain Current300(A)
Gate-Source Voltage (Max)20(V)
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:34 ns
Typical Turn-Off Delay Time:84 ns
Id - Continuous Drain Current:300 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:125 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2 mOhms
Operating Temperature ClassificationMilitary
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация