Моя заявка (0)

IPT017N12NM6ATMA1, 120V 331A 1.7m @10V 3W 3.6V@275uA HSOF-8 MOSFETs ROHS

IPT017N12NM6ATMA1, 120V 331A 1.7m @10V 3W 3.6V@275uA HSOF-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048299524
Артикул
IPT017N12NM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 347,43 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 120 В 29 А (Ta), 331 А (Tc), 3 Вт (Ta), 395 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-HSOF-8

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 275µA
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max)3W(Ta), 395W(Tc)
Supplier Device PackagePG-HSOF-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A(Ta), 331A(Tc)