IPT Type N-Channel MOSFET, 333 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IPT013N08NM5LFATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024495399
- Артикул
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- HSOF-8
Цена по запросу
(от 2 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейный полевой транзистор Infineon OptiMOS 5, МОП-транзистор напряжением 80 В. Этот продукт полностью соответствует требованиям стандарта JEDEC для промышленного применения.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 278W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 158nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 820pF@40V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 333A |
| Maximum Continuous Drain Current | 333 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 333 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 278 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3mΩ@150A, 10V |