N-Channel MOSFET TransIstor, 199 A, 80 V PG-HSOF-8 InfIneon IPT012N08NF2SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067054356
- Артикул
- IPT012N08NF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.15
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PG-HSOF-8
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 500 ₽)
Минимальный заказ: 1800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0011Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 199 A |
| Линейка Продукции | StronglRFET Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 351А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |