N-Channel MOSFET Transistor, 199 A, 80 V PG-HSOF-8 IPT012N08NF2SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974826
- Артикул
- IPT012N08NF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- PG-HSOF-8
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 1 720 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0011Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 199 A |
| Линейка Продукции | StronglRFET Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 351А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 199 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0011 Ом |