IPT012N08NF2SATMA1, MOSFETs IFX FET 60-80V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018647765
- Артикул
- IPT012N08NF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PG-HSOF-8
- Вес, кг
- 1.55
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 553,88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-HSOF-8 |
| Вес, кг | 1.55 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0011Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 199 A |
| Линейка Продукции | StronglRFET Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 351А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |