Моя заявка (0)
IPT010N08NM5ATMA1, МОП-транзистор 40 - 100В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025240777
Артикул
IPT010N08NM5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPT010N08NM5
FET Type
N-Channel
Pin Count
8
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 1 130 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon IPT010N08NM5 - это одноканальный MOSFET OptiMOS 5 мощностью 80 В 1,05 Мом 425 А в платной комплектации.

Технические параметры

SeriesIPT010N08NM5
FET TypeN-Channel
Pin Count8
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1.21
Channel TypeN
Package TypeHSOF-8
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 280µA
СтруктураМОП-транзистор
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05mOhm @ 150A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3.8W(Ta), 375W(Tc)
Supplier Device PackagePG-HSOF-8
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs223 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage80 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Maximum Continuous Drain Current43 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43A(Ta), 425A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация