Моя заявка (0)

IPT007N06N, Транзистор, N-MOSFET, 60В, 300А, 375Вт, 0.00075Ом [HSOF-8-1.]

IPT007N06N, Транзистор, N-MOSFET, 60В, 300А, 375Вт, 0.00075Ом [HSOF-8-1.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000353953
Артикул
IPT007N06N
PartNumber
IPT007N06NATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.1
Структура
МОП-транзистор
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
300
Цена по запросу
(от 231 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPT007N06NATMA1 от производителя INFINEON отличается высоким током стока 300 А и напряжением сток-исток 60 В. Мощность данной модели составляет 375 Вт, а сопротивление в открытом состоянии имеет низкое значение всего 0,0007 Ом, что обеспечивает эффективную работу и минимизацию потерь. Тип N-MOSFET и монтаж SMD позволяют использовать его в самых современных электронных устройствах. Корпус PG-HSOF-8-1 обеспечивает удобство монтажа на печатную плату. Продукт IPT007N06NATMA1, известный также как IPT007N06NATMA1, является оптимальным выбором для мощных и энергоэффективных конструкций. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 300 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 375 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0007 Корпус PG-HSOF-8-1

Технические параметры

Вес, г0.1
СтруктураМОП-транзистор
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00066 Ом

Техническая документация