Моя заявка (0)

OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 300 A, 30 V, 8-Pin HSOF-8 IPT004N03LATMA1

OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 300 A, 30 V, 8-Pin HSOF-8 IPT004N03LATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015379173
Артикул
IPT004N03LATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
10.58mm
Series
OptiMOS™
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 410 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.

Технические параметры

Width10.58mm
SeriesOptiMOS™
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeHSOF-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation300Вт
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1V
Особенности-
Maximum Power Dissipation300 W
Typical Gate Charge @ Vgs252 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage0.7V
Maximum Drain Source Resistance500 μΩ
Drain Source On State Resistance370мкОм
Maximum Continuous Drain Current300 A
Линейка ПродукцииOptiMOS
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока300А
Рассеиваемая Мощность300Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPG-HSOF
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)370мкОм
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация