CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V, 3-Pin IPAK IPSA70R900P7SAKMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564527
- Артикул
- IPSA70R900P7SAKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 116,83 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология Infineon Cool MOS™ - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Series | CoolMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.9 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.74 Ом |