Моя заявка (0)

IPSA70R360P7SAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

IPSA70R360P7SAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002319873
Артикул
IPSA70R360P7SAKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
700V CoolMOS P7
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 617 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Технические параметры

Series700V CoolMOS P7
Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypeIPAK SL(TO-251 SL)
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Power Dissipation59.5Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада18 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPG-TO-251-3
Maximum Drain Source Voltage700 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Qg - заряд затвора16.4 nC
Maximum Drain Source Resistance0.36 Ω
Время нарастания8 ns
Drain Source On State Resistance3Ом
Maximum Continuous Drain Current12.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока12.5А
Рассеиваемая Мощность59.5Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности59.5 W
Другие названия товара №IPSA70R360P7S SP001664832
Id - непрерывный ток утечки12.5 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds700В
Размер фабричной упаковки1500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-251
Vgs - напряжение затвор-исток16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток700 V
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения100 ns
Типичное время задержки при включении19 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)3Ом

Техническая документация