CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 5.7 A, 700 V, 3-Pin IPAK IPSA70R2K0P7SAKMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014562185
- Артикул
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS P7
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tube
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 84,08 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon Cool MOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Series | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 17.6Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 70 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 17.6W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-347 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-TO-251-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 400V |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 3.8 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 O |
| Время нарастания | 5.5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 1.64Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.7 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A |
| Рассеиваемая Мощность | 17.6Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 17.6 W |
| Другие названия товара № | IPSA70R2K0P7S SP001664770 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.64 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.64Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.64 Ом |