CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V, 3-Pin IPAK IPSA70R1K4P7SAKMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013791
- Артикул
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS™
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 103,48 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология Infineon Cool MOS™ - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Series | CoolMOS™ |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 61 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-TO-251-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0014 Ω |
| Время нарастания | 4.9 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 22.7 W |
| Другие названия товара № | IPSA70R1K4P7S SP001664778 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |