Моя заявка (0)

IPS70R950CEAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

IPS70R950CEAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002233806
Артикул
IPS70R950CEAKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Минимальный заказ: 790 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 700V 7.4A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) TO-251

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width2.3 mm
Package Length6.6 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-251
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyCoolMOS CE
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)13.6
Typical Rise Time (ns)5.2
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)68000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)15.3
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)15.3@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.6
Maximum Drain-Source Voltage (V)700
Typical Turn-Off Delay Time (ns)41
Typical Gate to Drain Charge (nC)8
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Continuous Drain Current (A)7.4
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)328@100V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)950@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)12
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)860@10V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация