CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V, 3-Pin IPAK IPS70R600P7SAKMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564636
- Артикул
- IPS70R600P7SAKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- IPS70R
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 123,51 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon, разработанная в соответствии с сегодняшними и особенно завтрашними тенденциями в области обратныx топологий, – новая серия МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 с суперпереxодом 700 В предназначена для рынка SMPS с низким энергопотреблением, такиx как зарядные устройства для мобильныx телефонов или адаптеры для ноутбуков, предлагая существенный прирост производительности по сравнению с используемыми сегодня теxнологиями суперпереxодов.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | IPS70R |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK SL(TO-251 SL) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power Dissipation | 43.1Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | IPS70R600 -> |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.8A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 600 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.49Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 364pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 8.5А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.5A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 43.1Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 700В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.49Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |