Моя заявка (0)

CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R360P7SAKMA1

CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS70R360P7SAKMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014556191
Артикул
IPS70R360P7SAKMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
1PCSNChannel
Series
CoolMOS™ P7
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 179 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
SeriesCoolMOS™ P7
Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeIPAK SL(TO-251 SL)
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation59.5Вт
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)59.5W
ОсобенностиEnhancement Mode
Total Gate Charge (Qg@Vgs)16.4nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)517pF@400V
Maximum Drain Source Voltage700 V
Continuous Drain Current (Id)12.5A
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance360 mO
Drain Source On State Resistance0.3Ом
Maximum Continuous Drain Current12.5 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока12.5А
Рассеиваемая Мощность59.5Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds700В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-251
Пороговое напряжение на затворе3.5V@150uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В700
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.3Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация