IPS70R1K4P7SAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002266864
- Артикул
- IPS70R1K4P7SAKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPS70R
- Military
- No
- Packaging
- Tube
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Минимальный заказ: 280 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Технические параметры
| Series | IPS70R |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK SL(TO-251 SL) |
| Высота | 6.22 mm |
| Ширина | 2.38 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-251 |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | CoolMOS P7 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 61 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Operating Temperature - (??C) | -40~150 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1400 mΩ |
| Время нарастания | 4.9 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 22700 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 4.7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 4.7@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 16 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 700 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 158@400V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1400@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 22.7 W |
| Другие названия товара № | IPS70R1K4P7S SP001499706 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |