CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 7.2 A, 650 V, 3-Pin IPAK IPS65R1K0CEAKMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553541
- Артикул
- IPS65R1K0CEAKMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS CE
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon Technologies.
Технические параметры
| Series | CoolMOS CE |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | IPAK(TO-251) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |