IPS65R1K0CEAKMA1, Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002218771
- Артикул
- IPS65R1K0CEAKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- HTS
- COMPONENTS
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 1186 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| HTS | COMPONENTS |
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.4(Max) |
| Package Height | 6.22(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-251 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | CoolMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 13.6 |
| Typical Rise Time (ns) | 5.2 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 68000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 15.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15.3@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.6 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 41 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 328@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 1000@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |