IPQC60R040S7XTMA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063804960
- Артикул
- IPQC60R040S7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- S7
- Tradename:
- CoolMOS
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | S7 |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-HDSOP-22 |
| Part # Aliases: | IPQC60R040S7 SP005568023 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 83 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 272 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |