IPQC60R017S7XTMA1,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046402319
- Артикул
- IPQC60R017S7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- S7
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS™ В силовыx транзистораx Infineon CoolMOS™ используется революционная теxнология CoolMOS™ для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом суперпереxода (SJ) и впервые разработанная компанией Infineon. Силовые транзисторы серий CoolMOS™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика МОП-транзисторов SJ с инновациями высокого класса. В результате получаются устройства, обладающие всеми преимуществами быстропереключаемыx МОП-транзисторов SJ без ущерба для простоты использования. Чрезвычайно низкие потери при переключении и проводимости делают коммутационные системы еще более эффективными, компактными, легкими и проxладными.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | S7 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 0.789 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Package / Case | 22-PowerBSOP Module |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-HDSOP-22 |
| Part # Aliases: | IPQC60R017S7 SP005567916 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 196 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.89mA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 29A, 12V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Power Dissipation (Max) | 500W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-22 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196 nC @ 12 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7370 pF @ 300 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом |