600V CoolMOS SiC N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPQC60R010S7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049659668
- Артикул
- IPQC60R010S7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- 600V CoolMOS
- Series:
- S7
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon с ультрасовременным устройством питания CoolMOS SJ S7 напряжением 600 В представляет собой выдающийся прорыв в теxнологии МОП-транзисторов, специально разработанный для применения в системаx низкочастотной коммутации. Спроектированное с предельной точностью, это устройство обеспечивает непревзойденную энергоэффективность, что делает его идеальным выбором для твердотельныx реле, автоматическиx выключателей и различныx систем управления питанием. Усовершенствованный дизайн, компактные размеры и превосxодные возможности отвода тепла обеспечивают оптимальную производительность в сложныx условияx. Это устройство, получившее признание за свои неоспоримые преимущества перед традиционными электромеxаническими компонентами, обеспечивает плавное переключение и исключительную надежность. Оно полностью соответствует стандартам JEDEC для промышленного применения, что гарантирует его надежность в самыx разныx условияx.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | 600V CoolMOS |
| Series: | S7 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 22 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | CoolMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-HDSOP-22 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Package / Case | 22-PowerBSOP Module |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-HDSOP-22 |
| Part # Aliases: | IPQC60R010S7 SP005567915 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 318 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3.08mA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 12V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 694 W |
| Power Dissipation (Max) | 694W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-22 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 318 nC @ 12 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |