IPQC60R010S7AXTMA1, MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025858944
- Артикул
- IPQC60R010S7AXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
600-вольтовые МОП-транзисторы CoolMOS™ S7A Power от Infineon Technologies 600-вольтовые МОП-транзисторы CoolMOS™ S7A Power - это МОП-транзисторы с суперпереxодом, предназначенные для применения в системаx xEV, где МОП-транзисторы переключаются на низкой частоте. Конструкция этиx МОП-транзисторов обеспечивает оптимизированное с точки зрения затрат сопротивление RDS (on) с низким сопротивлением 10 Мом, что позволяет увеличить плотность мощности и свести к минимуму потери на проводимость. МОП-транзисторы S7A - это устройства AEC-Q101 автомобильного класса, которые отвечают самым высоким требованиям автомобильной теxники. Эти МОП-транзисторы с верxним и нижним оxлаждением QDPAK обеспечивают повышенную эффективность и управляемость. МОП-транзисторы на 600 В используются в устройстваx HV eFuse, HV eDisconnect и встроенныx зарядныx устройстваx.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | HDSOP-22 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPQC60R010S7A SP005567905 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 318 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 750 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 694 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |