Моя заявка (0)

IPP90R1K2C3XKSA2,Power MOSFET, N Channel, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Through Hole

IPP90R1K2C3XKSA2,Power MOSFET, N Channel, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001765245
Артикул
IPP90R1K2C3XKSA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
1.95
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 311 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 5,1 А; Напряжение источника стока Vds: 900 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,94 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г1.95
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Product RangeCoolMOS C3
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-220
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds900V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id5.1A
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация